Differences
This shows you the differences between two versions of the page.
| Both sides previous revisionPrevious revisionNext revision | Previous revision | ||
| statnice:bakalar:b4b38nvs [2026/06/02 09:17] – [Proudový odběr CMOS obvodů a MCU] mates1n | statnice:bakalar:b4b38nvs [2026/06/06 18:31] (current) – [Obvyklé vstupní a výstupní napěťové úrovně] mates1n | ||
|---|---|---|---|
| Line 1: | Line 1: | ||
| ====== Návrh vestavných systémů ====== | ====== Návrh vestavných systémů ====== | ||
| - | |||
| Line 165: | Line 164: | ||
| == Vstup == | == Vstup == | ||
| Typicky 0-3.3V, někdy 5V tolerantní (v datasheetu pin označen **FT**) | Typicky 0-3.3V, někdy 5V tolerantní (v datasheetu pin označen **FT**) | ||
| - | * log 0 - $U_{in} < 0.3 * U_{cc} | + | * log 0 - $U_{in} < 0.3 * U_{cc}$ |
| - | * log 1 - $U_{in} > 0.7 * U_{cc} | + | * log 1 - $U_{in} > 0.7 * U_{cc}$ |
| * má ochrané diody (většinou) | * má ochrané diody (většinou) | ||
| Line 186: | Line 185: | ||
| * **PUSH-PULL** - používá dva tranzistory na přepínání mezi GND a $U_{dd}$ | * **PUSH-PULL** - používá dva tranzistory na přepínání mezi GND a $U_{dd}$ | ||
| - | * **OPEN-DRAIN** - tranzistor na GND - tranz. sepnut→ LOW, rozepnut→ undefined, připnuto GND - pro log. 1 potřebuje pull-up rezistor na ${U_{dd}$ | + | * **OPEN-DRAIN** - tranzistor na GND - tranz. sepnut→ LOW, rozepnut→ undefined, připnuto GND - pro log. 1 potřebuje pull-up rezistor na ${U_{dd}}$ |
| U výstupu lze zvolit rychlost: low, medium, high, very high - tvrdost buzení výstupu. Pokud je zbytečně vysoká, vznikají napěťové špičky přes indukčnost cesty na PCB nebo kabelu. | U výstupu lze zvolit rychlost: low, medium, high, very high - tvrdost buzení výstupu. Pokud je zbytečně vysoká, vznikají napěťové špičky přes indukčnost cesty na PCB nebo kabelu. | ||
